碳化硅半導體表界面缺陷與功率器件可靠性高級研修班
2025年9月19日 中國·重慶
碳化硅（SiC）半導體的表界面缺陷是影響功率器件可靠性的關鍵因素，其研究涉及材料科學、工藝優化及可靠性測試等多個領域。為此中國電力電子產業網、芯媒學院聯合舉辦2025碳化硅半導體表界面缺陷與功率器件可靠性高級研修班，旨在通過此次研修班更好的為學員了解碳化硅表界面缺陷通過影響柵氧可靠性、外延層質量及封裝穩定性，顯著制約功率器件的性能與壽命。通過界面鈍化、外延工藝優化及嚴格的可靠性測試，可有效提升器件穩定性。未來需進一步結合原位表征與多尺度模擬，探索碳缺陷的動力學行為，推動高性能 SiC 器件的工業化應用。
中國電力電子產業網
芯媒學院
王德君，大連理工大學 教授
陳媛，工業和信息化部電子第五研究所 學術首席
主要內容：
上午
授課講師：王德君 老師 陳媛 老師
09:00-12:00，180min，10:50-11:00休息
內容1：功率器件知識體系架構（20min）
王德君 老師
內容2：SiC功率器件基本原理 王德君 老師
半導體器件缺陷測試方法學（90min）上
王德君 老師
SiC MOSFET可靠性 （60min）陳媛 老師
下午
授課講師：王德君 老師 陳媛 老師
13:30-17:30，240min，15:10-15:20休息
半導體器件缺陷測試方法學（60min）下
王德君 老師
魯棒性與失效機理 （60min）
陳媛 老師
贊助演講報告 （30min）
表界面缺陷與可靠性測試實踐（60min）
王德君 老師
贊助演講報告 （30min）
2025年9月19日 重慶
培訓費：1000元/人
60人滿開班
以繳費完成報名成功
按照報名順序安排座位
（僅含培訓班期間午餐及培訓，不含住宿費）
收款單位：隆化縣芯連芯信息咨詢服務中心(個體工商戶)：
開戶帳號：101222337298；
開戶行：中國銀行股份有限公司隆化支行
聯系人：郝老師
電話：13520307378 微信同號
郵箱：pechina@vip.126.com
