第三代半導體，全球必爭之地

近年來，第三代半導體成為我國重點鼓勵的對象，為促進第三代半導體行業(yè)的發(fā)展，國家鼓勵政策頻發(fā)，地方積極響應(yīng)。

2020年，我國各地方發(fā)布第三代半導體相關(guān)政策16條，覆蓋了12個省（含直轄市）。從2020年各省市發(fā)布的相關(guān)政策來看，雖然2020年度沒有頒布專項政策，但第三代半導體作為半導體產(chǎn)業(yè)的重點方向，得到了各省市的系統(tǒng)布局和重視。

2021年，浙江、山西、東莞等地近期先后發(fā)布“十四五”規(guī)劃和相關(guān)政策，點名著重發(fā)展第三代半導體。

浙江：

開展第三代半導體知識產(chǎn)權(quán)攻關(guān)

6月28日，浙江省發(fā)展改革委、省市場監(jiān)管局印發(fā)《浙江省知識產(chǎn)權(quán)發(fā)展“十四五”規(guī)劃》（簡稱《浙江規(guī)劃》）。《浙江規(guī)劃》提出了十大工程，其中提及集成電路、芯片等內(nèi)容。《浙江規(guī)劃》中提出，要在加快集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，開展第三代半導體芯片、專用設(shè)計軟件、專用設(shè)備與材料、關(guān)鍵射頻器件、高端光器件等關(guān)鍵領(lǐng)域知識產(chǎn)權(quán)攻關(guān)，加快毫米波芯片、太赫茲芯片、云端一體芯片的知識產(chǎn)權(quán)布局儲備，有效化解產(chǎn)業(yè)鏈風險。

山西：

打造第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈基地

日前，《山西省“十四五”新裝備規(guī)劃》（簡稱《山西規(guī)劃》）發(fā)布，《山西規(guī)劃》中提出，重點發(fā)展砷化鎵第二代半導體、碳化硅與氮化鎵第三代半導體等產(chǎn)品生產(chǎn)及檢測裝備，提高半導體工藝及產(chǎn)品良品率。進一步延伸發(fā)展智能終端、集成電路、新型顯示、智能傳感器等電子產(chǎn)品，實現(xiàn)電子信息裝備制造業(yè)智能化發(fā)展。積極引入上游裝備制造以及下游器件設(shè)計、封裝和應(yīng)用企業(yè)，打造國際有影響力的第二代及三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)基地。

東莞：

重點發(fā)展第三代半導體材料

5月31日，東莞市人民政府印發(fā)《東莞市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》（以下簡稱《規(guī)劃綱要》）的通知。根據(jù)《規(guī)劃綱要》，東莞將大力培育新興產(chǎn)業(yè)。加快培育新材料、新能源、生命健康、人工智能、數(shù)字經(jīng)濟、海洋經(jīng)濟等新興產(chǎn)業(yè)，重點發(fā)展第三代半導體材料、電子新材料、高性能功能陶瓷和硬質(zhì)合金等結(jié)構(gòu)材料和功能材料等前沿新材料產(chǎn)業(yè)。

廣東：

積極發(fā)展第三代半導體、高端SOC

4月25日，廣東省人民政府發(fā)布《廣東省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》（以下簡稱《十四五規(guī)劃綱要》）。《十四五規(guī)劃綱要》提出，加強產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新平臺建設(shè)。聚焦未來通信高端器件、新型顯示技術(shù)、第三代半導體、干細胞、體外診斷、醫(yī)療器械、新材料等優(yōu)勢領(lǐng)域。

珠海：

將打造華南第三代半導體示范區(qū)

4月21日，珠海政府網(wǎng)全文發(fā)布了《珠海市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標綱要》。規(guī)劃提出要打造華南地區(qū)第三代半導體發(fā)展示范區(qū)，做強軟件和集成電路設(shè)計省級戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)基地和軟件產(chǎn)業(yè)國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地。

廣西：

謀劃布局第三代半導體未來產(chǎn)業(yè)

近日，《廣西壯族自治區(qū)國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》（以下簡稱《十四五規(guī)劃》）印發(fā)。《十四五規(guī)劃》指出，十四五期間，為培育發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和未來產(chǎn)業(yè)，廣西將超前布局未來產(chǎn)業(yè)。謀劃布局生物工程、第三代半導體、人工智能、量子信息、氫能與儲能等未來產(chǎn)業(yè)，積極培育“蛙跳”產(chǎn)業(yè)。

上海臨港：

支持第三代半導體和工藝線建設(shè)

SENSINGEWORLD

3月3日，上海臨港新片區(qū)發(fā)布《中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2021-2025）》（下文簡稱為《規(guī)劃》）。《規(guī)劃》中表示目標是到2025年，形成新片區(qū)集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地的基礎(chǔ)框架。《規(guī)劃》中提出推動化合物半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)由國內(nèi)引領(lǐng)向國際領(lǐng)先跨越。推進6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設(shè)，面向5G、新能源汽車等應(yīng)用場景，加快化合物半導體產(chǎn)品驗證應(yīng)用。

內(nèi)蒙古：

碳化硅等新材料用電列入優(yōu)先交易范圍

2月4日，內(nèi)蒙古發(fā)改委、工信廳發(fā)文，對部分行業(yè)電價政策和電力市場交易政策進行調(diào)整。其中提到，符合產(chǎn)業(yè)政策的大數(shù)據(jù)中心、光伏新材料及應(yīng)用（單晶硅、多晶硅、晶體切片、組件等）、稀土新材料及應(yīng)用、半導體材料（電子級晶體材料、碳化硅等）行業(yè)生產(chǎn)用電及新能源汽車充電站、5G基站（包括配套機房、核心樞紐機房）、電供熱等設(shè)施用電列入優(yōu)先交易范圍。

應(yīng)用市場廣闊前景

第三代半導體是材料的變更并非是升級換代，第三代半導體使用的主要材料為碳化硅、氮化鎵，這將更適合用于一些高溫、高頻以及抗輻射的設(shè)備中。

據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，到2020年底，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體的全球市場將增長到 8.54 億美元，其中，碳化硅（SiC ）市場規(guī)模約為 7.03 億美元，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模約為1.5億美元。到2025年碳化硅（SiC）市場規(guī)模將超過30億美元，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模將超過6.8億美元。

第三代半導體是一個“新領(lǐng)域”，在實際應(yīng)用中也占據(jù)著十分重要的地位，在軍事、新能源和高頻通信等領(lǐng)域都有重要作用和巨大的應(yīng)用潛力，尤其是在新能源汽車和5G領(lǐng)域，我國是該領(lǐng)域中市場應(yīng)用最大的國家，有著廣泛的市場前景。

我國在SiC、GaN等第三代半導體功率器件方面緊跟世界前沿，其相關(guān)標準的研究和制定也是近幾年半導體材料領(lǐng)域的熱點。據(jù)專業(yè)研究機構(gòu)統(tǒng)計，目前第三代半導體現(xiàn)行國家標準和行業(yè)標準共18項（產(chǎn)品標準3項），SiC材料現(xiàn)行6項國家標準和7項行業(yè)標準；GaN材料現(xiàn)行5項國家標準。