36氪獲悉，分離式氮化鎵柵極驅(qū)動芯片及增強型氮化鎵晶體管研發(fā)公司成都氮矽科技有限公司（以下簡稱“氮矽科技”）宣布獲得千萬級天使輪融資，由率然投資領(lǐng)投，鼎青投資跟投。創(chuàng)始人羅鵬表示，公司驅(qū)動及晶體管產(chǎn)品已完成流片、封裝及應(yīng)用搭建，正在進行客戶導(dǎo)入，預(yù)計在年底前推出搭載其首款分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動芯片以及氮化鎵晶體管的快充產(chǎn)品，此次融資除了用于研發(fā)外，還將支持市場導(dǎo)入及銷售。

氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料，目前已經(jīng)在快充市場呈現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。

與傳統(tǒng)硅材料相比，氮化鎵芯片尺寸更小、能夠承受的開關(guān)頻率更高、功率密度大大增加。在CES 2019上，Aukey、MuOne、RavPower等廠商就已發(fā)布了多款GaN快充頭，其中的芯片均采用了Navitas研發(fā)的氮化鎵芯片 NV6115。隨后，小米、OPPO也陸續(xù)發(fā)布了采用氮化鎵的快充產(chǎn)品，在此之后，國內(nèi)需求將快速增長，目前市場上有超過150款氮化鎵PD快充上市，市場規(guī)模已經(jīng)達到約10億元人民幣的體量。

在氮化鎵芯片的設(shè)計、研發(fā)環(huán)節(jié)，國外廠商長期處于較領(lǐng)先地位。當(dāng)前行業(yè)龍頭是2014年在美國成立的Navitas，其單片集成式的氮化鎵芯片是全球首款成功導(dǎo)入市場的產(chǎn)品，在業(yè)內(nèi)處于絕對優(yōu)勢。

但從技術(shù)路線上看，Navitas所代表的單片集成式氮化鎵芯片只是其中一種，還有以TI為代表的系統(tǒng)集成式芯片，以及分離式芯片。不同技術(shù)路線下芯片的性能及對應(yīng)的應(yīng)用場景都有所不同，因此，氮化鎵芯片市場依舊存在很多空白領(lǐng)域，這吸引了很多技術(shù)實力較強的創(chuàng)業(yè)公司入局。

國內(nèi)目前在氮化鎵領(lǐng)域擁有獨立設(shè)計能力的fabless公司數(shù)量依然稀少，人才及產(chǎn)業(yè)鏈尚不完備。氮矽科技是由一批此前在海外從事相關(guān)研發(fā)的專家、高管歸國組建。公司于2019年4月成立，團隊采用分離式的技術(shù)路線開發(fā)國內(nèi)首款高速氮化鎵柵極驅(qū)動芯片及氮化鎵晶體管，計劃年底從快充市場切入后，逐漸擴展到其他應(yīng)用場景。

關(guān)于為什么采取分離式技術(shù)路線，創(chuàng)始人羅鵬表示：盡管當(dāng)前消費電子類芯片正逐漸走向集成化，并且以Navitas、PI等巨頭所代表的集成式芯片已出現(xiàn)規(guī)模化落地，但這并不代表集成式是最優(yōu)解。其中一個明顯弊端就是——集成式芯片限制了應(yīng)用擴展的能力，首先是芯片的開關(guān)頻率只適合消費電子類產(chǎn)品；其次，由于氮化鎵升溫較快，因此系統(tǒng)級集成需要給驅(qū)動附加多種保護措施，這又進一步限制了應(yīng)用擴展性。相比之下，分離式是傳統(tǒng)的基于硅的芯片的常見制式，其發(fā)展時間最久，替換成氮化鎵之后，分離式的芯片開關(guān)可調(diào)可控，靈活度更高，便于在應(yīng)用端做改進。此外，當(dāng)功率升高時，分離式的芯片的穩(wěn)定性、安全性也會更高。

從商業(yè)化的角度上看，當(dāng)前以Navitas為代表的集成式氮化鎵芯片主要應(yīng)用在快充市場，但其市場規(guī)模依舊有限，而分離式氮化鎵芯片由于可操作性更強，更便于在其他應(yīng)用場景落地，從而實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

目前，氮矽科技已研發(fā)出三款產(chǎn)品：分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動芯片（DX1SE-A）、650V增強型氮化鎵MOSFET、氮化鎵功率IC （DX2SE65A150）。產(chǎn)品將首先落地在快充市場，公司計劃前期通過已有應(yīng)用方案直接對目標客戶完成銷售。

關(guān)于其他應(yīng)用場景，創(chuàng)始人羅鵬表示，氮化鎵芯片在工業(yè)級市場還是一片藍海，照明電源、LED驅(qū)動、通信電源、基站電源、充電樁、數(shù)據(jù)中心等都存在需求，不過工業(yè)級產(chǎn)品相對消費級的安全性、可靠性要求更高，這也是目前業(yè)內(nèi)公司都在努力研發(fā)的領(lǐng)域，挑戰(zhàn)難度也很高。

氮矽科技創(chuàng)始人羅鵬為德國勃蘭登堡州科技大學(xué)碩士，博士與博士后就職于德國柏林費迪南德布朗-萊布尼茨研究所，精通氮化鎵器件物理特性，有超過5年第三代半導(dǎo)體氮化鎵IC的研發(fā)工作經(jīng)驗。公司董事長David French 從事半導(dǎo)體行業(yè)超過40年，2001年起積極投身中國半導(dǎo)體行業(yè)，就職于行業(yè)中多家公司董事會。總經(jīng)理Jesse Parker（白杰先）曾任軟銀國際基金執(zhí)行副總裁、IBM微電子部門執(zhí)行副總裁 、先進半導(dǎo)體制造有限公司獨立董事、 DEC 個人電腦部門副總裁，現(xiàn)任高瞻股權(quán)投資（廣東）有限公司董事長、矽能科技總經(jīng)理，辦過乾龍創(chuàng)業(yè)投資基金、長沙咨詢有限公司等。