江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司

  江蘇能華的"科能芯"系列由在氮化鎵功率外延片、器件設(shè)計(jì)、工藝流程及封裝技術(shù)領(lǐng)域有著卓越專業(yè)貢獻(xiàn)一批同路人開創(chuàng)的,它還擁有世界最頂端水平的氮化鎵功率器件系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)能力以及制造工藝。

  外延片

  

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  CEESCH-GaN

  厚的半絕緣GaN層基板材料和直徑的選擇。產(chǎn)品是適合加工肖特基氮化鎵整流器。

  CEEFET-20AlGaN-NoSiN

  GaN HEMT的結(jié)構(gòu)與20%的AlGaN勢(shì)壘罪基板材料和直徑的選擇沒(méi)有任何原位鈍化層。此產(chǎn)品適用于處理HEMT的開關(guān)。

  CEEFET-23AlGaN-NoSiN

  GaN HEMT的結(jié)構(gòu)與23%的AlGaN勢(shì)壘罪基板材料和直徑的選擇沒(méi)有任何原位鈍化層。此產(chǎn)品適用于處理HEMT的開關(guān)。

  CEEFET-26AlGaN-NoSiN

  GaN HEMT的結(jié)構(gòu)與26%的AlGaN勢(shì)壘罪基板材料和直徑的選擇沒(méi)有任何原位鈍化層。此產(chǎn)品適用于處理HEMT的開關(guān)。

  CEEFET-20AlGaN-SiN

  GaN HEMT的結(jié)構(gòu)與20%的AlGaN勢(shì)壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產(chǎn)品適用于處理HEMT的開關(guān)。

  CEEFET-23AlGaN-SiN

  GaN HEMT的結(jié)構(gòu),23%的AlGaN勢(shì)壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產(chǎn)品適用于處理HEMT的開關(guān)。

  CEEFET-26AlGaN-SiN

  GaN HEMT的結(jié)構(gòu)與26%的AlGaN勢(shì)壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產(chǎn)品適用于處理HEMT的開關(guān)

  Custom

  基板材料和直徑的選擇所需的氮化鎵,氮化鋁鎵和AlN層的組合組成的自定義的外延層。鐵或氮摻雜GaN緩沖層可以減少緩沖區(qū)漏電流。 Mg摻雜和含合金是目前無(wú)法使用。

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