電動出行勢頭迅猛，助推主機(jī)廠和功率半導(dǎo)體展開深度合作，碳化硅（SiC）的汽車應(yīng)用正在提速。

　　市場調(diào)研公司Yole Développement在《電動出行之功率電子2021》中指出：“在市場增長和設(shè)計(jì)機(jī)會方面，SiC已成為最具活力的技術(shù)之一。SiC正在滲透到汽車應(yīng)用新賽道。”

　　走入大眾應(yīng)用

　　SiC器件在本世紀(jì)初開始商業(yè)化應(yīng)用。在這20年里，它已經(jīng)從高端市場的專利演變?yōu)榇蟊娛袌龅膽?yīng)用。隨著越來越多公司對SiC器件感興趣并開發(fā)出SiC器件，這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展勢頭與日俱增。作為硅的“年輕競爭者”，SiC市場在2020年已價值超過6億美元。

　　Yole預(yù)計(jì)，2020-2026年，PHEV（插電混動）和BEV（純電動汽車）市場將分別以37.3%和44%的復(fù)合年增長率增長。2026年，xEV轉(zhuǎn)換器市場價值將超過288億美元，年復(fù)合年增長率為27.7%。2026年，xEV用半導(dǎo)體功率電子器件的市場價值將達(dá)到56億美元，年復(fù)合年增長率為25.7%。

　　電動出行的推動者

　　從技術(shù)趨勢看，車輛需要強(qiáng)大的電氣化才能免于處罰；優(yōu)化系統(tǒng)集成是提高傳動系效率的途徑之一。為此，主要主機(jī)廠已經(jīng)宣布了模塊化系統(tǒng)和車輛平臺。

　　在供應(yīng)鏈方面，所有參與者都必須調(diào)整其戰(zhàn)略，以實(shí)現(xiàn)二氧化碳減排目標(biāo)。主機(jī)廠正在重新分配（xEV和ICE（燃油車））生產(chǎn)。中國仍然是BEV的主導(dǎo)者，但歐洲對PHEV有很大的推動作用。

　　EV DC充電器市場走勢

　　Yole功率電子技術(shù)與市場分析師Ana Villamor說：“電動汽車中基本上有三種轉(zhuǎn)換器類型：主逆變器、DC-DC和OBC。”由于功率水平較高，主逆變器是不同轉(zhuǎn)換器中最大的市場，其功率半導(dǎo)體的含量最高。”

　　因此，預(yù)計(jì)到2026年，主逆變器市場將達(dá)到195億美元，占EV/HEV轉(zhuǎn)換器市場的67%，復(fù)合年增長率為26.9%。

　　在功率半導(dǎo)體市場方面，受IGBT和SiC模塊之間的重大技術(shù)戰(zhàn)的推動，其價值預(yù)計(jì)將在2020年至2026年翻一番。事實(shí)上，目前SiC模塊的成本仍約為650V IGBT模塊的3倍，但當(dāng)生產(chǎn)規(guī)模較大時，這種差異將縮小，過渡到8英寸晶圓以及1200V器件的滲透，將獲得更高的電池電壓。

　　xEV采用SiC及800V系統(tǒng)進(jìn)程

　　正如Yole的團(tuán)隊(duì)在《2021年電動汽車新功率電子》報(bào)告中所分析的那樣，EV/HEV供應(yīng)鏈繼續(xù)受到需求和技術(shù)趨勢增長的影響。為EV/HEV提供領(lǐng)先半導(dǎo)體的制造商，如英飛凌科技、意法半導(dǎo)體、日立、三菱電機(jī)、東芝、安森美半導(dǎo)體、UnitedSiC、CISSOID等眾多企業(yè)都推出了與汽車相關(guān)的SiC最新產(chǎn)品，正在與一級供應(yīng)商、主機(jī)廠和純模塊新來者，為EV/HEV提供功率模塊，類似的情況也發(fā)生在電池設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，特斯拉和通用汽車等主機(jī)廠正試圖控制其供應(yīng)鏈。

　　800V SiC逆變器即將量產(chǎn)

　　2021年3月，全球汽車電氣化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商、大陸集團(tuán)的動力總成業(yè)務(wù)部門Vitesco Technologies（緯湃科技）斬獲一筆數(shù)億歐元的新型高壓部件訂單，將為現(xiàn)代汽車新型電動汽車平臺量產(chǎn)800V SiC逆變器供應(yīng)800V SiC逆變器。

　　Vitesco 800V SiC逆變器

　　第一批采用Vitesco逆變器的車型將是現(xiàn)代Ioniq5和起亞EV6，盡管該集團(tuán)可能還有其他供應(yīng)商。現(xiàn)代汽車稱，800V電池系統(tǒng)可以350kW為電池充電，也可以使用傳統(tǒng)的400-500VDC快速充電器充電，但效率較低，因?yàn)楸仨毺岣唠妷骸?/p>

　　Vitesco補(bǔ)充說，該公司正在開發(fā)和優(yōu)化其他800V組件，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理和充電系統(tǒng)。如果這種向更高電壓系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變成功，可能很快就會看到更多制造商逐漸轉(zhuǎn)向800V標(biāo)稱電壓。特斯拉也有可能切換到800V系統(tǒng)，因?yàn)樵摴疽恢币宰非蟾咝剩òㄊ褂肧iC器件）著稱。

　　Vitesco新能源科技事業(yè)部執(zhí)行副總裁Thomas Stierle表示：“此次合作再次表明，Vitesco憑借電動汽車創(chuàng)新型關(guān)鍵部件滿足了更高的產(chǎn)品要求。為更高效、更便捷、更可持續(xù)的出行貢獻(xiàn)自己的力量。”

　　迄今為止，大多數(shù)電動汽車采用的是400V電壓驅(qū)動。只有少數(shù)高端純電車型和跑車采用了800V高壓架構(gòu)。此前現(xiàn)代汽車剛亮相的E-GMP電動汽車平臺采用了800V的工作電壓，為電動汽車駕駛者帶來了更多體驗(yàn)優(yōu)勢，如雙倍電壓大大縮短了電池的充電時間。根據(jù)電池容量，可以在20分鐘內(nèi)將電池電量充至80%。此外，800V電氣系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出，同時也大大提高了電驅(qū)動的工作效率。

　　Vitesco在800V逆變器中使用了SiC功率半導(dǎo)體，從而顯著提高了逆變器效率。采用SiC技術(shù)是在充分發(fā)揮高電壓架構(gòu)優(yōu)勢的同時提供最大效率的最佳方案。

　　預(yù)計(jì)到2025年，現(xiàn)代汽車將累計(jì)推出23款純電動汽車，包括基于E-GMP開發(fā)的11款電動車型，并將電動汽車的全球年銷量提高至100萬輛。

　　作為電動出行領(lǐng)域的系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商，Vitesco 800V逆變器的大額訂單是對其所推崇電氣化戰(zhàn)略的又一肯定，充分彰顯了公司戰(zhàn)略的前瞻性。為此，Vitesco正在全速推進(jìn)基于800V系統(tǒng)電動汽車的其他核心部件，從DC-DC轉(zhuǎn)換器到電池管理，再到充電系統(tǒng)的開發(fā)和優(yōu)化。

　　其實(shí)，Vitesco早在2020年6月就與ROHM簽訂了開發(fā)SiC電動汽車驅(qū)動器的協(xié)議，后者提供采用溝槽MOSFET的1200V 576A半橋全SiC功率模塊BSM600D12P3G001，它是由SiC UMOSFET（溝槽柵）和SiC SBD組成的模塊，適用于電機(jī)驅(qū)動、逆變器、轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

　　ROHM 1200V 576A半橋全SiC功率模塊

　　另一款SCT2080KEHR是1200V 40A車用SiC MOSFET，是經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的汽車級產(chǎn)品，具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度快的特點(diǎn)。

　　Stierle說：“能源效率對電動汽車至關(guān)重要，由于電池是車輛中唯一的能源，因此必須把因功率轉(zhuǎn)換引起的任何損耗降至最低。因此，我們正在開發(fā)用于模塊化功率電子系統(tǒng)的SiC組件。為了從功率電子設(shè)備和電機(jī)中獲得最大效率，我們將使用合作伙伴提供的SiC功率器件，所以我們選擇了ROHM。”

　　目前，Vitesco已在開發(fā)和測試800V SiC逆變器，旨在同時優(yōu)化逆變器開關(guān)策略和電機(jī)，通過更高的頻率和更陡的開關(guān)斜率提供更高的開關(guān)效率，減少電機(jī)的諧波損耗。此外，公司還正在研究800V SiC車載電池充電器。Stierle表示：“在合作過程中，ROHM和Vitesco將致力于創(chuàng)建ROHM SiC技術(shù)的最佳組合，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；同時通過逆變器設(shè)計(jì)的最佳匹配實(shí)現(xiàn)最高效率。”

　　除了ROHM提供800V逆變器產(chǎn)品之外，兩家公司還將開發(fā)400V SiC逆變器，Vitesco計(jì)劃在2025年開始生產(chǎn)400V SiC逆變器。

　　ROHM和Vitesco都在紐倫堡附近設(shè)有工廠，可以實(shí)現(xiàn)更好的協(xié)同效應(yīng)。

　　400V和800V SiC雙管齊下

　　SiC功率器件是當(dāng)今的熱門話題，采用這種器件的逆變器、充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器已用于高端車輛。2020年4月，Karma（卡瑪汽車）在其新車型中引入SiC功率電子產(chǎn)品，并將其出售給合作伙伴。Karma是美國南加州唯一一家從設(shè)計(jì)、工程、營銷和手工制造獨(dú)立一體的豪華車制造公司。

　　Karma SiC逆變器

　　Karma展示了其最新技術(shù)——一種高效SiC逆變器。它將用于各種車輛，不僅是新的Karma E-Flex平臺，也包括其他應(yīng)用，特別是400V和800V電壓范圍。

　　Karma表示，新的SiC逆變器正處于開發(fā)的最后階段，是由Karma的動力傳動系功率電子團(tuán)隊(duì)與阿肯色大學(xué)功率電子系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室（PESLA）合作設(shè)計(jì)的，旨在提高效率和性能，服務(wù)于Karma和合作伙伴。400V系統(tǒng)的靈活結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以定制適應(yīng)各種車輛平臺，也可以在800V功率水平下利用更高電壓快速充電。新型逆變器還將與汽車、飛機(jī)、火車、農(nóng)業(yè)和工業(yè)應(yīng)用等行業(yè)兼容。

　　作為大型汽車供應(yīng)商萬向集團(tuán)的一部分，Karma未來應(yīng)該能夠從其SiC技術(shù)中獲利。Karma首席執(zhí)行官Lance Zhou博士說：“在許多競爭對手仍在開發(fā)SiC逆變器的時候，Karma的SiC牽引逆變器已準(zhǔn)備就緒，使公司處于這一先進(jìn)技術(shù)的前沿。在此之前，Karma還開發(fā)了自己的基于絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的牽引逆變器，目前支持其2020 Revero GT和GTS豪華電動車。”

　　Karma的新型SiC逆變器開發(fā)正值推出E-Flex平臺計(jì)劃的重要時刻，這個高度通用的系列平臺將提供新的電動汽車解決方案，從自動駕駛多用途面包車到日常駕駛車輛，以及高性能超級跑車。該平臺將使制造商能夠以更高的速度和效率快速進(jìn)入電動汽車市場。

　　“電氣化代表了出行行業(yè)的一個關(guān)鍵轉(zhuǎn)變，Karma將把精力集中于技術(shù)研發(fā)，為合作伙伴提供更好的解決方案。我們的SiC逆變器加上E-Flex平臺，將證明我們?yōu)殡妱悠囆袠I(yè)帶來的革命性性能和效率，”Zhou博士表示。

　　自研也是一條路

　　2020年3月，比亞迪公布旗下中大型轎車漢EV首次應(yīng)用自研高性能SiC MOSFET電機(jī)控制模塊，助力其0-100km/h加速達(dá)到3.9秒。比亞迪為漢EV裝備了最大轉(zhuǎn)速超過15000轉(zhuǎn)/分的高轉(zhuǎn)速驅(qū)動電機(jī)總成，其電機(jī)控制器首次使用了比亞迪自主研發(fā)制造的高性能SiC MOSFET控制模塊，能夠降低內(nèi)阻，增加電控系統(tǒng)的過流能力，讓電機(jī)將功率與扭矩發(fā)揮到極致，大幅提升了電機(jī)的性能表現(xiàn)。

　　比亞迪SiC MOSFET電機(jī)控制模塊

　　2020年6月，蔚來首臺SiC電驅(qū)系統(tǒng)C樣下線，作為蔚來第二代電驅(qū)動平臺的產(chǎn)品，SiC電驅(qū)系統(tǒng)將首先搭載在ET7上，該系統(tǒng)以更高的工作效率為車輛提供更長的續(xù)航里程。

　　蔚來首臺SiC電驅(qū)系統(tǒng)

　　2020年11月，小鵬汽車動力總成中心IPU硬件高級專家陳宏表示，SiC MOSFET相比硅基IGBT功率半導(dǎo)體具有耐高溫、低功耗及耐高壓等特點(diǎn)。采用SiC技術(shù)，電機(jī)逆變器效率提升約4%，對應(yīng)整車?yán)m(xù)航里程增加約7%。小鵬汽車希望與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴，共同推進(jìn)SiC在智能網(wǎng)聯(lián)汽車中的標(biāo)準(zhǔn)化，推廣第三代功率半導(dǎo)體在智能網(wǎng)聯(lián)汽車中的應(yīng)用。

　　2020年12月，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀表示，其車規(guī)級IGBT已經(jīng)到第5代，SiC MOSFET已經(jīng)到第3代，第4代正在開發(fā)當(dāng)中，且在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2021年將開始試生產(chǎn)。目前，按照計(jì)劃，預(yù)計(jì)到2023年，其旗下電動車將實(shí)現(xiàn)SiC功率半導(dǎo)體全面替代IGBT，整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10％。

　　1200V SiC漸成主流

　　說完了主機(jī)廠，再看看上游的半導(dǎo)體廠商做了什么？

　　英飛凌推出的全新車規(guī)功率模塊HybridPACK? Drive CoolSiC?可使逆變器設(shè)計(jì)在1200V實(shí)現(xiàn)高達(dá)250kW的功率，同時實(shí)現(xiàn)更高續(xù)航里程、更小電池尺寸以及更優(yōu)化的系統(tǒng)尺寸和成本。該產(chǎn)品提供兩種不同芯片數(shù)量版本：1200V等級400A或200A（DC）版本。

　　英飛凌HybridPACK? Drive CoolSiC?

　　英飛凌研究與開發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian Schweikert表示，隨著對電氣范圍要求的不斷提高和安裝空間限制，對牽引逆變器的能效要求也越來越高。

　　汽車牽引力要求不斷提高

　　SiC MOSFET被認(rèn)為是未來牽引逆變器應(yīng)用中最有前途的半導(dǎo)體器件。測量證實(shí)，基于溝槽SiC-MOSFET（SiC-TMOSFET）三相電壓源的逆變器在汽車約束條件下，可以顯著提高電動汽車傳動系的效率。

　　漸進(jìn)式電源模塊設(shè)計(jì)與CoolSiC技術(shù)的性能提升

　　通過比較不同半導(dǎo)體技術(shù)的400V和800V DC母線電壓，可以發(fā)現(xiàn)，使用1200V SiC-TMOSFET的400V DC母線系統(tǒng)逆變器能耗降低了63%，可節(jié)省6.3%驅(qū)動周期；使用1200V SiC-TMOSFET的800V系統(tǒng)可減少69%的逆變器能耗，車輛能耗降低7.6%。由于在行駛循環(huán)模擬中沒有考慮電池系統(tǒng)重量減輕的影響，因此SiC降低車輛能耗的效果還不止這些。

　　采用SiC-TMOSFET技術(shù)降低車輛能耗

　　英飛凌創(chuàng)新與新興技術(shù)負(fù)責(zé)人Mark Münzer指出：“電動汽車市場非常活躍，為創(chuàng)意和創(chuàng)新奠定了基礎(chǔ)。隨著SiC器件價格大幅下降，SiC方案的商業(yè)化進(jìn)程將進(jìn)一步加快。這將促使更多注重成本效益的平臺采用SiC技術(shù)，以提高電動汽車的續(xù)航里程。”

　　經(jīng)測試，車規(guī)CoolSiC? MOSFET可實(shí)現(xiàn)短路魯棒性及高水平的宇宙射線和柵極氧化物魯棒性，這是設(shè)計(jì)高效可靠的汽車牽引逆變器和其他高壓應(yīng)用的關(guān)鍵。HybridPACK Drive CoolSiC功率模塊完全符合汽車功率模塊AQG324標(biāo)準(zhǔn)。

　　現(xiàn)代汽車電氣化開發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Jin-Hwan Jung博士表示：“我們?nèi)蚰K化電動平臺（E-GMP）的800V系統(tǒng)使用基于CoolSiC模塊的牽引逆變器，車輛行駛里程提高了5%以上。”

　　上面提到，Vitesco與ROHM簽訂了開發(fā)SiC電動汽車驅(qū)動器的協(xié)議，并將為現(xiàn)代汽車提供SiC逆變器，其實(shí)主機(jī)廠的貨源不止一個。

　　安森美的1200V SiC肖特基二極管無反向恢復(fù)電流、溫度無關(guān)的開關(guān)特性和優(yōu)異的熱性能，使之成為下一代功率器件選擇。SiC肖特基二極管也是一種全新技術(shù)，與硅相比，它具有優(yōu)越的開關(guān)性能和更高的可靠性。系統(tǒng)的好處包括更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的電磁干擾以及更小的系統(tǒng)尺寸和成本。

　　CISSOID的三相SiC MOSFET IPM是一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板的SiC MOSFET智能功率模塊（IPM），可滿足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求，同時有望大幅降低電動汽車動力總成系統(tǒng)的體積、重量及成本，并實(shí)現(xiàn)最佳能源效率。

　　CISSOID三相SiC MOSFET車用智能功率模塊

　　CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte表示：“越來越多的領(lǐng)先電動主機(jī)廠正在將SiC MOSFET用于牽引逆變器，其中有些還采用了非傳統(tǒng)的分立器件封裝。但是，目前很難找到為電機(jī)驅(qū)動而優(yōu)化的SiC功率模塊來適配不同應(yīng)用。另外，將快速開關(guān)的SiC功率模塊與柵極驅(qū)動器、去耦及水冷等整合為驅(qū)動總成，還要面對一些新的挑戰(zhàn)。因此，經(jīng)過完全優(yōu)化和高度集成的智能功率模塊解決方案可以為客戶節(jié)省大量開發(fā)時間和工程資源。”

　　其新的風(fēng)冷模塊（CMT-PLA3SB340AA和CMT-PLA3SB340CA）是專為無法使用液體冷卻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，如機(jī)電執(zhí)行器和功率轉(zhuǎn)換器等。該模塊的額定阻斷電壓為1200V，最大連續(xù)電流為340A，導(dǎo)通電阻僅有3.25mΩ，開關(guān)損耗分別僅為8.42mJ和7.05mJ（在600V 300A條件下）。該功率模塊的額定結(jié)溫為175℃，柵極驅(qū)動器的額定環(huán)境溫度為125℃，AlSiC扁平底板冷卻熱阻較低，耐熱性強(qiáng)。

　　意法半導(dǎo)體第二代SiC功率汽車級SiC功率MOSFET是650V 45A、55mΩ的H2PAK-7封裝器件，利用ST的先進(jìn)和創(chuàng)新的第二代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)。該器件單位面積導(dǎo)通電阻極低，開關(guān)性能良好。開關(guān)損耗的變化幾乎與結(jié)溫?zé)o關(guān)。

　　ST SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)化通態(tài)電阻與溫度的關(guān)系

　　這款A(yù)EC-Q101認(rèn)證器件采用非常快和強(qiáng)大的本征體二極管，具有極低柵極電荷和輸入電容以及提高效率的源感應(yīng)引腳。

　　ST第二代SiC MOSFET額定擊穿電壓值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。

　　在電動汽車牽引電機(jī)或充電站及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中，使用SiC MOSFET可使設(shè)計(jì)者獲得各種好處，包括減小功率級的尺寸和重量；實(shí)現(xiàn)更高的功率密度；減小功率電路無源元件的尺寸和成本；實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率；減輕熱設(shè)計(jì)限制，消除或減少散熱器的尺寸和成本。

　　ST實(shí)驗(yàn)室測試比較了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MOSFET與硅IGBT的開關(guān)損耗。SiC MOSFET具有更低的開關(guān)損耗，即使在高溫下也是如此。這使得轉(zhuǎn)換器或逆變器能夠在非常高的開關(guān)頻率下工作，從而減小其無源元件尺寸。當(dāng)溫度超過175℃時，隨著溫度的升高電阻變化很小。

　　SiC MOSFET的工作結(jié)溫高達(dá)200℃，開關(guān)損耗極低；無體二極管的恢復(fù)損耗；高溫功率損耗較少；易于驅(qū)動。

　　UnitedSiC推出的6款全新650V和1200V SiC FET均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝。這些器件有30、40、80和150mΩ版本，適用于電動汽車車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器和電信電源、工業(yè)電池充電器和電源等應(yīng)用。

　　UnitedSiC的650V和1200V器件

　　D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高開關(guān)速度，通過開爾文（Kelvin）源極連接改善了柵極驅(qū)動器的回路性能，并具有業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力。利用銀燒結(jié)技術(shù)可以在常規(guī)PCB及復(fù)雜絕緣金屬基板（IMS）上完成管芯貼附。此外，器件具有出色的爬電距離（6.7mm）和電氣間隙能力（6.1mm），這意味著即使在更高電壓下也可以確保最高的操作安全性。

開爾文源極連接

　　這些SiC FET器件基于一種獨(dú)特的共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在這種結(jié)構(gòu)中，常開SiC JFET與Si-MOSFET共同封裝組成常關(guān)SiC FET器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許硅IGBT、硅FET、SiC MOSFET或硅超結(jié)器件實(shí)現(xiàn)真正的“插入式替換”。這在用SiC替代硅器件的過程中是難能可貴的優(yōu)勢。該器件具有極低的柵極電荷和特殊的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)電感負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

　　SiC走上紅地毯

　　Yole功率電子與電池首席分析師Milan Rosina表示：“主機(jī)廠層面的競爭打開了兩條主要戰(zhàn)線：一是擁有成熟市場和知名品牌的傳統(tǒng)主機(jī)廠在轉(zhuǎn)向電動汽車。二是純電動汽車廠商正在世界不同地區(qū)涌現(xiàn)（如蔚來、里維埃、Rimac、小鵬和合眾），其中一些正在快速增加銷量。”新推出車型往往具有更高性價比，令前十大汽車銷量不斷變化。

　　SiC現(xiàn)在已經(jīng)走上了EV/HEV的紅地毯。過去幾年，特別是在特斯拉Model 3主逆變器引入SiC以來，應(yīng)用勢頭愈演愈烈。但并非所有轉(zhuǎn)換器或電氣化都適合這種昂貴的材料。毫無疑問，BEV是贏家，因?yàn)樗笮旭偫锍涕L、充電時間短，需要提高轉(zhuǎn)換器效率，節(jié)省電池電力，SiC轉(zhuǎn)換器增加的成本因此得到了補(bǔ)償。

　　如今，主機(jī)廠已經(jīng)有很好的SiC組合可供選擇，因?yàn)樵S多半導(dǎo)體廠商都將SiC模塊作為電動汽車應(yīng)用的主攻方向，預(yù)計(jì)到2026年，SiC模塊市場將占EV/HEV半導(dǎo)體市場的32%。