2020年4月7日，北方華創(chuàng)THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉積設(shè)備Move in國內(nèi)集成電路制造龍頭企業(yè)。該設(shè)備的交付，意味著國產(chǎn)立式LPCVD設(shè)備在先進(jìn)集成電路制造領(lǐng)域的應(yīng)用拓展上實(shí)現(xiàn)重大進(jìn)展。

　　氮化硅(Si3N4) 薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶絕緣物質(zhì)，氮化硅膜的介質(zhì)特性優(yōu)于二氧化硅膜，具有對(duì)可動(dòng)離子阻擋能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)致密、針孔密度小、化學(xué)穩(wěn)定性好、 介電常數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，常用于集成電路制造中的介質(zhì)絕緣、雜質(zhì)掩蔽、淺溝道隔離、掩膜、外層鈍化保護(hù)等工藝。作為一種性能優(yōu)良的重要介質(zhì)材料，在集成電路制造 領(lǐng)域，氮化硅薄膜廣泛使用LPCVD類型設(shè)備制備，而顆粒控制水平是設(shè)備能力的一項(xiàng)重要指標(biāo)。

　　北方華創(chuàng)在氮化硅工藝設(shè)備THEORIS SN302D的開發(fā)過程中，通過整合已有產(chǎn)品平臺(tái)技術(shù)，針對(duì)性地研發(fā)了快速升降溫加熱技術(shù)和爐口氣流優(yōu)化技術(shù)，良好地解決了氮化硅工藝過程中顆?？刂撇环€(wěn) 的技術(shù)性難題。并在滿足常規(guī)生產(chǎn)能力的基礎(chǔ)上，為提升客戶使用的附加價(jià)值，進(jìn)一步開發(fā)了長恒溫區(qū)反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)能的硬件技術(shù)解決方案，匹配市場 的多樣化需求。

　　

　　經(jīng)過10余年的創(chuàng)新發(fā)展，北方華創(chuàng)立式爐從無到有，從設(shè)備研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化，目前已形成氧化(Oxide)、退火(Anneal)、化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、合金(Alloy)四大系列工藝設(shè)備，設(shè)備性能達(dá)到國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。北方華創(chuàng)在不斷拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域的同時(shí)，也將致力于幫助客戶提升工藝性能、提高產(chǎn)能、降低成本，為半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的廣大客戶帶來無限可能。